随着云计算、大数据、物联网等领域的发展，未来市场对存储器的需求会持续增加。有数据显示，我国存储器的消耗量占全球总消耗量的三成以上（2019年第一季度世界半导体贸易统计WSTS 发布的统计数据），其中大部分存储器芯片需要进口，可以说，在中国芯片产业的发展过程中，存储芯片是十分关键的发展领域。
近日，紫光旗下新华三集团正式携手中国闪存芯片领军企业——长江存储，整合中国顶尖的存储芯片资源，共同推动在中国市场自主创新存储芯片的研发与应用，成功地将3D NAND芯片产品融入服务器产品之中，进一步加速了服务器的自主创新之路。
众所周知，芯片是信息时代的粮食，其中存储器芯片应用领域十分广泛。作为中国存储芯片的领头羊，长江存储从成立至今，在短短3年时间内先后研发成功并量产了国内首款32层3D NAND闪存和64层3D NAND闪存，同时凭借着国内庞大的内需市场、优秀的自主研发能力，以及国际水准的产能，担负起推动国内存储器自主创新、加速发展的重要使命。此次新华三集团与长江存储携手，正是将这些国内领先的研发技术和存储芯片引入到服务器产品中，推动优秀自主创新方案的落地生根，更好的满足企业对高速、大容量存储解决方案的需求。
2017年，长江存储成功研发了中国首颗拥有自主知识产权的32层MLC 3D NAND闪存芯片，实现了中国三维闪存产业“零”的突破。该芯片的存储容量为8GB至32GB，目前已通过企业级验证并进行小规模的批量生产，主要应用在U盘，SD卡，机顶盒及固态硬盘等领域。
此后，长江存储基于不断的自主研发和创新，推出了第二代具备完全自主知识产权的64层256Gb TLC 3D NAND闪存，它拥有全球同代产品中最高的存储密度，将广泛应用在智能手机，个人电脑，服务器等领域。长江存储64层三维闪存既是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品，也是中国企业首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产，标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。
提到Xtacking® 技术，不得不说，这是长江存储在3D NAND闪存架构上的一次重大创新，在世界闪存发展史上具有举足轻重的意义。通过芯片架构设计上的变化，Xtacking®能够使3D NAND闪存拥有更快的I/O传输速度，使3D NAND闪存能拥有更高的存储密度，相比传统架构，芯片面积可减少约25%。同时，Xtacking®技术还实现了模块化的设计工艺，能够有效提升了研发效率并缩短了生产周期，为NAND闪存的定制化提供了更多可能。目前，Xtacking®技术被主要应用在长江存储64层及更高规格的三维闪存上。
为了给行业用户带来更多的价值，长江存储未来还将推出Xtacking® 2.0创新架构。作为升级换代技术，Xtacking®2.0将够进一步提升NAND芯片的吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开拓定制化NAND全新商业模式等。未来，Xtacking®2.0技术将应用在长江存储第三代3D NAND闪存产品中，会广泛应用于数据中心，企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域，这将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。
新华三集团将领先的长江存储闪存引入服务器产品线，将在应用实践中加速中国存储芯片与服务器的融合发展，进一步推动计算产品和架构的迭代。新华三也将在10月24日以“至极之道，智造未来”为主题的计算节期间，重点展示长江存储产品自主创新的领先技术，以及更加安全、可靠、可信的计算产品。这些产品将在新华三“至简，至信，至慧”的智慧计算理念下，更好的满足企业用户的不同需求，为企业的数字化转型赋能。
