9月19日，2019年第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆举行。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英等近200名代表参会，围绕第三代半导体技术创新、产业发展、国际合作进行深入探讨与交流，加速第三代半导体材料国产化替代进程，助力国产半导体开辟一片新天地。
深圳市科学技术协会党组书记林祥、深圳市坪山区科技创新局局长黄鸣出席论坛并致辞。深圳第三代半导体研究院副院长张国旗、南方科技大学深港微电子学院执行院长于洪宇、国家新能源汽车技术创新中心车规半导体业务负责人文宇、英国剑桥大学工程系教授Patrick Palmer、深圳基本半导体有限公司总经理和巍巍等嘉宾围绕第三代半导体材料器件的技术创新、产品应用和机遇挑战，开展前沿技术分享及精彩主题演讲。
在论坛上，提到中国第三代半导体的发展，深圳基本半导体总经理和巍巍表示，国内第三代半导体碳化硅发展一直紧跟世界前沿，但在汽车设计和制造方面，和国际的先进水平还有一定的差距。目前，国内有几所大学可以制造器件样品，有部分公司可以量产二极管，但仅有基本半导体可量产碳化硅MOSFET，基本半导体未来将继续加大研发投入，加强技术创新，致力于铸造第三代半导体碳化硅的中国“芯”。
据了解，基本半导体由清华大学、浙江大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院等国内外知名高校博士团队创立，专注于碳化硅功率器件的研发与产业化，旗下碳化硅器件产业链覆盖了外延制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等环节。基本半导体已先后推出全电流电压等级碳化硅二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET，以及车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。
除主旨演讲外，现场还举行了“中国第三代半导体的突破之路”为主题的高端圆桌对话。力合科创集团、北京亿华通科技股份有限公司等几家优秀的半导体企业代表，从企业自身的发展经历出发，共同探讨我国第三代半导体实现突破的途径。
专家认为，第三代半导体未来应用潜力巨大，具备变革性的突破力量，是半导体以及下游的电力电子、通信等行业新一轮变革的突破口。2018年，美国、欧盟等持续加大第三代半导体领域的研发支持力度，国际厂商积极、务实推进，商业化的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）电力电子器件新品不断推出，性能日益提升，应用逐渐广泛。国内受益于整个半导体行业宏观政策利好、资本市场追捧、地方积极推进、企业广泛进入等因素，第三代半导体产业稳步发展。但在材料指标、器件性能等方面与国外先进水平仍存在一定差距，市场继续被国际巨头占据，国产化需求迫切。
本届高峰论坛由深圳市科学技术协会、深圳市坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，深圳青铜剑科技股份有限公司、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办，深圳基本半导体有限公司、深圳中欧创新中心联合承办。
