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新闻动态
华邦电新12英寸厂上梁，2021年正式进入量产
存储器大厂华邦电于高雄路竹科学园区所新建的12英寸晶圆厂，22日举行上梁典礼。这也象征着华邦电新12英寸晶圆厂的兴建案原定计划实施中，也使得扩产计划逐步实现。据了解，22日华
SOI生成方式演进，这项技术呼声最高
所谓SOI技术是由Si晶圆透过特殊氧化反应，使氧化层(Buried Oxide)形成于Si层与Si晶圆间，最终产生Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate结构。
存储器封测需求旺 南茂第4季业绩续看增
半导体封测大厂南茂第4季业绩可望较第3季成长，毛利率可维持第3季水准，第4季存储器封测成长幅度可高于面板驱动IC封测，明年整体业绩表现可较今年好。南茂董事长郑世杰昨天表示
DRAM现货价涨 后市还待观察
日本对南韩实施限制三项电子关键材料出口，引起后续材料恐短缺疑虑，激励DRAM与NAND Flash现货价应声上涨，带动南亚科、旺宏、华邦电等存储器族群昨股价带量上涨，这是存储器史上第
台积电5纳米良率达到50% 明年第1季量产月产能上看8万片
根据台积电总裁魏哲家日前在法人说明会中的说法指出，台积电的5纳米制程(N5)已进入风险试产阶段，并有不错的良率表现。对此，根据供应链的消息指出，目前已经进入风险试产阶段的