三星官宣：完成5纳米EUV工艺研发，将向客户提供样品 4月16日，三星官网发布新闻稿，宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发，现已准备好向客户提供样品。与7纳米工艺相比，三星的5纳米FinFET工艺技术提供了高达25%的逻辑面积效率提升。同 5纳米 EUV 三星 2019-04-16
EUV光刻机研发挑战仍存，本土企业如何突破技术成本关? 光刻是芯片制造技术的主要环节之一。目前主流的芯片制造是基于193nm光刻机进行的。但是193nm的光刻技术依然无法支撑40nm以下的工艺生产，为了突破工艺极限，厂商不得不将193nm液浸技 IC设计 光刻机 EUV 2019-04-03
