武汉新芯50纳米代码型闪存芯片量产 存储单元面积和密度达国际先进水平
2020年6月4日,武汉新芯集成电路制造有限公司透露,其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存(SPI NOR Flash)芯片已全线量产。目前,在全球NOR Flash存储芯片领域,业界通用技术为65纳米。武
2020年6月4日,武汉新芯集成电路制造有限公司透露,其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存(SPI NOR Flash)芯片已全线量产。目前,在全球NOR Flash存储芯片领域,业界通用技术为65纳米。武
6月6日,在长三角一体化发展重大合作事项签约仪式上,长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目业务合作协议签约。Source:视频截图据新民晚报报道,长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目业
随着5G、WIFI6超高速时代来临,以及疫情对居家办公、教学、娱乐的影响,带动家庭网通设备迎来新一波升级浪潮。无论是契合家庭娱乐生活的IPTV、OTT智能盒子,还是对于构建 出门用5
2020年6月4日,北京兆易创新科技股份有限公司(以下简称 兆易创新 )披露非公开发行股票发行结果显示,公司本次发行的新增股份已于2020年6月3日在中国证券登记结算有限责任公司上海
在闪存市场上,尽管人们关注重点多集中于3D NAND等主流产品,但是随着物联网、智能汽车以及TWS耳机等消费电子的发展,NOR闪存的需求量也在与日俱增,成为存储芯片中另一个重要增长