DDR5是下一世代的DRAM，能降低功耗、提升效能并带来更高的可靠性。由于带宽是DDR4的两倍，DDR5还能够满足当下CPU提升速度的诉求。存储厂商不断发表测试模组，为推出完整的产品蓄力，DDR5在今年开启蓬勃发展元年。

眼下，我们距DDR5产品显然更进一步。DDR5的开发分阶段进行，包括内存控制器、接口、电气等效测试IP和模组。科技媒体AnandTech指出：“SK海力士已经进行到了最后一个阶段，至少是完成了模组中的芯片”

10月6日，SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。此番成果意味着，在即将到来的DDR5时代，SK海力士随时能够销售相关产品。继今年7月JEDEC固态存储协会正式发布DDR5内存标准规范后，SK海力士也再次将DDR5带入我们的视野。

存储三强起跑

DRAM存储器有三种主流技术，分别是DDR、LPDDR和GDDR。按照应用类型，DDR又可以划分为PC端、服务器端、以及消费端。

目前，Graphics DRAM推进最快。终端主流显卡去年陆续导入DDDR6，全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预测，今年三星GDDR6的渗透率预期将达到7成左右。

用于智能手机等移动终端的低功耗LPDDR5导入速度次之，目前已经被不少高端手机采用。一方面是由于规格定义较早；一方面得益于高通和联发科两大平台的支持。同样据TrendForce集邦咨询预测，LPDDR5将在2022年正式取代LPDDR4成为市场主流。

DDR阵营内，消费级DRAM推进迟缓，目前消费性电子产品仍然处于DDR3到DDR4的转换期，预计初期导入要到2023年。考虑到推进时程，以及DDR5本身就侧重数据中心等应用场景的特点。故当前讨论DDR5时，我们主要着眼于服务器和PC端市场。

技术转换预计带来成本降低和溢价商机，各大厂商卡位DDR5有着通顺的逻辑。基于此，把控全球超95% DRAM市场份额的存储三强超前布局并互相追赶。

存储器龙头三星电子在2018年2月开发出首款DDR5 DRAM，并在今年3月宣布，将于2021年正式开始量产DDR5内存。

虽然最初的开发进程稍慢，但位居DRAM市场第二名的SK海力士，仍用上了“全球第一”或者说“首款”这样的营销术语。2018年11月，SK海力士宣布成功开发全球第一款满足JEDEC标准规范的16Gb DDR5 DRAM。

美光的1纳米制程DDR5已经送客户试样，计划在2020到2023年间陆续发展1Z、1A与1B纳米制程，并将于2021年面向利基型终端产品量产8Gb小容量解决方案。

内存标准规范在今年7月确立后，DDR5大战正式拉开序幕。在此之后的最新动态，即是SK海力士于近日宣布推出全球首款DDR5 DRAM。

整体来看，丝毫不令人意外的是，韩系厂商已经抢占DDR5时代的高地。

国内方面，国产存储在今年取得突破，不过目前还没有本土厂商真正进入DDR5赛场内。长鑫存储已经能够批量生产DDR4内存芯片、DDR4模组及LPDDR4X移动内存，虽然其采用的19nm工艺相比三星落后了两到三代水平，但仍属于目前主流水平。

DDR世代更迭的列车向前，内存接口芯片厂商仍能搭上顺风车。澜起科技计划在今年完成DDR5第一代内存接口及其配套芯片量产版本芯片的研发。随着技术的迭代，内存接口芯片新产品的价格不断上涨，澜起科技也将分羹溢价商机。

关于目前的赛局，来自TrendForce集邦咨询的分析师透露了更多细节：目前来看，厂商封装以16Gb为准，有助于8Gb切换到16Gb世代；制程工艺以1Y与1Z为主。分析师还强调，决定DDR5渗透率的关键是平台，当前服务器端明显快于PC端。

EUV导入DRAM进行时

DDR5竞赛当前，龙头厂商仍在改良第四代内存，成为近期值得关注的小趋势，其原因何在？

SK海力士预估，2022年DDR5将占全球市场的10%，2024年将增至43%。这也意味着，DDR4内存还会在长期内占据市场，为不断满足客户需求，进一步改良DDR4仍有其必要性。其次，考虑到DRAM产品同质性高、价格决定购买决策的产业特性，厂商降低制造成本的压力持续存在。

在满足消费者需求，提升成本结构并提高生产效率为导向的竞争策略之外，存储厂商不断改进成熟产品的工艺，也是在一同对抗着存储产业的周期。

由于供需失衡，存储产品价格自2018年中进入下行通道，这一态势延续到2019年底。虽然DRAM现货价格近期出现久违涨势，下半年仍然承压。

长期来看，随着中国本土厂商在DRAM领域崛起，并进一步对市场供求关系施加影响，韩系厂商原本就紧绷的神经更是无法放松。

从头部厂商当前采取的策略来看，除了持续转进1Znm、1alpha纳米制程，EUV光刻技术的引入，成为今年存储厂商改进内存产品的鲜明主线。EUV指极紫外光刻，EUV光刻设备能够以更短时间刻画出细微电路。三星表示，引入EUV不仅能够提升存储器的性能，也能使效率大幅提升。

在DRAM领域，三星率先跨入EUV世代。2020年3月，该公司成功开发了基于EUV光刻技术的第四代10纳米级（1a）DRAM。三星还计划在2020年下半年引入EUV光刻设备，量产第四代10纳米级（1a）16Gb DDR5 DRAM。

三星电子副董事长李在勇最近飞往荷兰拜访EUV设备唯一生产商ASML，以确保EUV设备的安全。不仅是为了和台积电抢夺先进制程订单，也是为了在DRAM领域升级工艺。

SK海力士计划在2020年底之前完成无尘室的建设，并在2021年引进EUV设备，以生产第四代10纳米DRAM。

积极的一面是，市场预期，在存储器工艺技术的拐点处，也就是DDR4向DDR5转换之际，供应将进一步趋紧，这将有助于厂商改善营运。

One More Thing

DDR4到DDR5的技术迭代还意味着什么？

在CPU等运算半导体领域，台积电和英特尔率先采用EUV；而在存储器领域，三星开创了应用EUV光刻设备的先河。三星在克服DRAM挑战的同时获取竞争优势，也在不断地引领着行业突破极限。

2018年6月，三星电子副社长李圭弼在题为“半导体的技术没有极限”的演讲中指出：10年前大家都认为DRAM技术将在2015年面临极限，然而三星的团队却克服了。如今存储器即将借助EUV跨过10纳米制程大关，真像是历史的回响。

回到商业范畴，DRAM市场有着超高市场集中度，价格呈周期波动态势，技术创新才是对抗周期的不二法门。与此同时，DRAM跨足EUV世代，NAND Flash 150层叠堆技术再升级……存储厂商竞合的商业战争之外，存储技术的演进也分外精彩。

封面图片来源：SK 海力士