台积电先进制程的部分，目前5纳米准备积极进入量产，3纳米也将在2022年迎来投产的关键时刻，而更先进的2纳米制程也传出取得重大进展。市场估计，台积电2纳米预计在2023~2024年量产的情况下，预计将能进一步巩固全球晶圆代工龙头的地位。

根据《经济日报》的报导，台积电在考虑成本及良率的因素下，3纳米制程延用鳍式场效电晶体（FinFET）技术，并取得全球的领导地位之后，更先进的2纳米制程预计将切入环绕闸极（GAA）技术，正式进入另一个全新的制程技术领域，而且预料在接下来的年度技术论坛中，台积电将会公布这项成果。

不过，台积电对此并未做任何评论。

报导指出，虽然台积电自2019年公布，将以数百人的研发团队正式投入2纳米的技术研发以来，至今没有公布2纳米制程节点将会选择沿用FinFET技术，或者是改用GAA技术。不过，根据相关供应链表示，因为FinFET技术将自3纳米以下会面临技术瓶颈，因此台积电才会在2纳米选择采用GAA的技术。

另外，因为竞争对手三星已经宣布自3纳米的制程节点开始，就采用GAA的技术，台积电的时程显然落后三星，不过市场人士指出，就之前台积电也较三星晚采用极紫外光刻设备，但在制程良率上仍领先三星的情况下，台积电采取稳扎稳打的务实性做法，于2纳米才采用GAA技术而落三星一个世代，预计还是能持续维持其优势的地位。

报导进一步指出，这次台积电能在2纳米制程节点上有所突破，归功于台积电挽留了3年前即要退休的台积电最资深副总经理罗唯仁。他带领的团队为制程技术研发进行了突破，才有了当前的成果。为此，罗唯仁还为团队举行了庆功宴，以感谢团队的辛劳。

而根据日前台积电的公告，预计2021年动工，将于美国亚利桑那州设置的12寸厂将以5纳米制程为主，并将于2024年投产，月产能达到2万片的产能。而这时间点对照目前台积电先进制程的发展计划，届时台积电在中国台湾地区已经进入2纳米投产阶段，使得整体美国厂的完工，届时将对台积电在台湾的先进制程订单不会有所影响。

此外，日前也外传，竞争对手三星也宣布将放弃4纳米的制程，直接投入3纳米制程与台积电面对面竞争。市场人士也表示，若台积电一旦真在2023年到2024年间量产GAA技术的2纳米制程，则三星想在3纳米制程弯道超车的状况，将会难上加难。