据上交所信息披露，7月14日北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）的科创板上市申请获受理。
根据招股书，天科合达本次拟公开发行不超过6128.00万股，不安排股东公开发售股份，本次发行股份占发行后总股本的比例不低于25.00%，募集资金拟投资项目的投资总额为9.58亿元，其中以募集资金投入金额为5.00亿元。
大基金、哈勃位列前十大股东
资料显示，天科合达成立于2006年9月，主要从事第三代半导体材料——碳化硅晶片及相关产品研发、生产和销售，主要产品包括碳化硅晶片、其他碳化硅产品和碳化硅单晶生长炉，其中碳化硅晶片是该公司核心产品。
招股书指出，天科合达建立了国内第一条碳化硅晶片中试生产线，在国内率先成功研制出6英寸碳化硅晶片，相继实现2英寸至6英寸碳化硅晶片产品的规模化供应。该公司现已掌握了覆盖碳化硅晶片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”的全流程关键技术和工艺，建立了拥有自主知识产权核心技术体系。
据了解，由于在新能源汽车、5G通讯、光伏发电、智能电网、消费电子、国防军工、航空航天等诸多领域具有广阔的应用前景，以碳化硅为代表的第三代半导体材料的重要性和战略地位得到广泛重视，世界各国相继启动发展计划，碳化硅晶片制造亦属于我国重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。
目前，碳化硅晶片产业格局呈现美国全球独大，而天科合达作为国内为数不多可实现碳化硅晶片规划量产的企业之一，获得了来自国家级产业基金的支持以及知名投资者的青睐。2019年，天科合达进行增资扩股，国家集成电路产业投资基金股份有限公司（以下简称“大基金”）和华为旗下的哈勃科技投资有限公司（以下简称“哈勃投资”）作为战略投资者入股。
据招股书披露，本次发行前，天科合达的控股控股东为新疆天富集团有限责任公司，实际控制人为新疆生产建设兵团第八师国有资产监督管理委员会。在其前十大股东阵营中，中国科学院物理研究所为第二大股东，大基金位列第四大股东（持股比例5.08%），哈勃投资位列第五大股东（持股比例4.82%）。
随着下游应用场景的逐步成熟，碳化硅晶片及相关产品的市场需求快速增长，近年来天科合达的业绩呈现较大增长。数据显示，2017年、2018年、2019年，天科合达的营业收入分别为2406.61万元、7813.06万元、1.55亿元，复合增长率为153.92%；归母净利润分别为-2034.98万元、194.40万元、3004.32万元。
募资5亿元 投建碳化硅衬底产业化基地
招股书显示，天科合达本次募集资金投资项目为第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目。该项目投资总额为9.57亿元，其中以募集资金投入金额为5.00亿元，以银行贷款或自筹资金等方式投入金额4.57亿元。
招股书指出，作为宽禁带半导体器件制造的关键原材料，碳化硅衬底材料制造的技术门槛较高，国内能够向企业用户稳定供应4英寸及6英寸碳化硅衬底的生产厂商相对有限。受中美贸易环境等经济局势影响，近年来我国碳化硅器件厂商的原材料供应受到较大程度的制约，下游市场出现了供不应求的局面。
天科合达已实现4英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底材料的稳定供应，但受制于现有产能，近两年公司持续处于产品供不应求的状态。在现有产能的基础上，天科合达这次募投项目拟对主营业务碳化硅衬底材料进行扩产。
本次募投项目主要建设一个包括晶体生长、晶片加工和清洗检测等全生产环节的生产基地，项目投产后年产12万片6英寸碳化硅晶片，其中6英寸导电型碳化硅晶片约为8.2万片，6英寸半绝缘型碳化硅晶片约为3.8万片。
天科合达表示，通过募集资金投资项目的实施，公司进一步扩大产能以满足下游产业需求， 提升公司在行业内的竞争力。
至于未来发展和规划，天科合达表示，公司发展战略定位将继续聚焦于碳化硅材料的研发及生产，一方面通过自主研发持续提升公司技术实力，不断突破碳化硅晶片技术瓶颈；另一方面持续投入资金和人力资源，扩大碳化硅晶片生产能力，不断提升产业化运营能力，进一步巩固公司核心竞争力，提高公司产品在国内外的市场占有率等。
目前，国际碳化硅晶片厂商主要提供4英寸至6英寸碳化硅晶片，CREE、II-VI 等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。报告期内，天科合达碳化硅晶片产品以4英寸为主，逐步向6英寸过渡，并于2020年1月启动8英寸晶片研发工作。
如今，天科合达科创板IPO申请获受理，若其后续顺利进入资本市场，将为其提供更为便利的融资渠道和充足的资金资源，有利于其加大技术投入和业务扩张，助力其进一步发展壮大。
