半导体联盟消息，铠侠株式会社(Kioxia Corporation)近日宣布，该公司已成功开发具有112层垂直堆叠结构的第五代BiCS FLASH™三维(3D)闪存。铠侠计划开始在2020年第一季度为特定应用提供样品，新产品具有512 Gb（64千兆字节）容量并采用TLC（每单元3位数据）技术*1。
这款新产品旨在满足对各种应用不断增长的位需求，包括传统移动设备、消费类和企业类固态硬盘(SSD)、新的5G网络支持的新兴应用、人工智能和自动驾驶车辆。
展望未来，铠侠将其新的第五代工艺技术应用于更大容量的闪存产品，例如1 Tb（128千兆字节）TLC和1.33 Tb QLC（每单元4位数据）产品。
铠侠创新的112层堆叠工艺技术与先进的电路和制造工艺技术相结合，与96层堆叠工艺相比，将存储单元阵列密度提高约20%。因此，每片硅晶圆可以制造的存储容量更高，从而也降低了每位的成本（Bit-cost）。此外，它将接口速度提高50%，并提供更高的写性能和更短的读取延迟。
自2007率先发布采用3D堆叠结构的闪存以来*2，铠侠一直在推进3D闪存的开发，并积极推广BiCS FLASH™，以满足对更小芯片尺寸和更大容量的需求。
第五代BiCS FLASH™是与技术和制造合作伙伴西部数据公司(Western Digital Corporation)共同开发的。它将在铠侠的四日市工厂和新建的北上工厂生产。
注：
1. 并非所有功能都已经过测试，且设备特性将来可能变更。
2. 来源：铠侠株式会社，截至2007年6月12日。
* 本文提及的所有其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
