据韩媒BusinessKorea最新报道，长江存储 (YMTC) 首席技术官程卫华，近日在接受媒体采访时表示，公司将可能在今年年底前实现64层3D NAND闪存的大规模生产。
“我们有一个大规模生产计划，”程卫华在接受《日经亚洲评论》采访时表示。目前，在中国政府的支持下，长江存储正在武汉建设一座价值240亿美元的半导体工厂，用于大规模生产64层NAND闪存。
程卫华在采访中仅提到：“长江存储的大规模生产NAND闪存的计划进展顺利，没有任何问题。”他并未正式宣布将在今年开始量产64层NAND闪存。不过，行业观察人士表示，程卫华已表示了当公司实现大规模生产计划后，今年将能够生产64层NAND闪存。
目前来看，三星电子和SK海力士正在将90层工艺应用于3D NAND闪存的生产。其实，SK海力士在去年完成研发后，已开始大规模生产96层NAND闪存。三星则计划在今年下半年推出100层NAND闪存。如果长江存储在年底前成功实现64层NAND量产，那么其与三星电子的技术差距将缩短至两年左右。
此外，人们担忧长江存储进入NAND闪存行业后的影响，因为NAND跌价的幅度通常来说会比DRAM更大。另一方面，部分专家仍对长江存储的64层NAND量产保持怀疑态度，因为其未目前并未量产32层的产品。
不过总的来说，与DRAM领域不同，长江存储似乎在NAND领域里正一切进展顺利。如果长江存储今年下半年向市场供应64层闪存，不排除中国政府可能会建议国产智能手机和PC制造商使用国产的NAND闪存。
如果真出现这种情况，那么将严重削弱NAND行业的利润。这正是三星、东芝、美光、SK海力士等闪存制造商所担忧的。
