SK海力士目前在高带宽存储器（HBM）领域占据主导地位。然而，三星电子正着眼于下一个竞争前沿——新一代内存技术 Compute Express Link （CXL）。最近，三星申请了多个与CXL产品相关的商标，引起了各行各业的关注。
据《韩国先驱报》援引业内人士的话报道，三星近期的商标申请包括三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H和三星CMM-HC。这些产品专为内存、芯片、数据存储设备等而设计。在内部，三星将 CXL 称为 CMM（CXL 内存模块）。
CXL 是用于扩展数据传输路径的下一代接口。虽然 CXL 和 HBM 都是高性能内存技术，但它们的用途不同。HBM 垂直连接多个 DRAM，与传统 DRAM 相比，显著提高了数据处理速度。在现有的DRAM领域，基于DDR的DRAM由于服务器结构的限制，在扩展传输带宽和容量方面面临限制。
CXL DRAM 利用处理器内存互连共享技术，可以提高主 DRAM 的传输带宽和容量。此外，它可以以更低的成本提高服务器的主内存容量和性能。例如，利用大容量 CXL DRAM 可以将每台服务器的内存容量增加 8-10 倍。HBM 和 CXL 有望相辅相成，CXL 被认为是内存行业新的竞争舞台。
近年来，三星积极追求 CXL 技术开发。2021年5月，公司率先开发基于CXL的DRAM技术。2023 年 5 月，三星完成了 CXL 2.0 开发，计划从 2023 年第四季度开始量产 CXL 2.0 DRAM。
SK海力士还深入研究CXL技术，在2023年9月展示了CXL 2.0产品，落后三星约四个月。SK海力士计划在2023年底前开始量产CXL 2.0产品。
展望未来，值得注意的进展包括英特尔计划在 2024 年上半年推出支持 CXL 2.0 的“Sierra Forest”服务器 CPU。此举可能与 ChatGPT 等对话式 AI 对 HBM 市场普及的贡献相提并论，从而可能扩大 CXL 市场。
