美光宣布量产第3代10纳米级制程DRAM
根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出，日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布，将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的D
存储器
日韩贸易战推现货存储器反弹，合约市场仍未撼动
6月东芝停电事件，加上7月开始日韩贸易战延烧，推动了已跌到亏损流血的NAND Flash现货价率先反弹，结束了2年多来的空头走势，此波存储器价格由NAND Flash先起涨，接下来日韩贸易战加入
美光新加坡Fab 10A闪存工厂完成扩建
存储器大厂美光科技（Micron）14日宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A扩建！美光执行长Sanjay Mehrotra表示，新厂区将视市场需求调整资本支出及产能规划，并应用先进3D NAND制程技术，进一步推
SK海力士公布新产品规划：2030年推800+层堆叠NAND Flash，届时SSD可达200TB
目前，两大韩系NAND Flash厂商──三星及SK海力士已经公布了新NAND Flash产品的发展规划。其中，三星宣布推出136层堆叠的第6代V-NAND Flash，SK海力士则是宣布成功开发出128层堆叠的4D NAND F
佰维FMS 2019全球顶级闪存峰会首秀圆满结束
北京时间8月9日晨6时许，全球顶级闪存峰会2019 Flash Memory Summit（简称 FMS ）圆满落幕，三星、东芝、海力士等存储巨头悉数登场，以BIWIN佰维为代表的国产存储企业的展示成为会场中一道