整合长江存储计划？紫光国微再次表态
前不久，随着量产64层3D NAND闪存消息发布，长江存储再次成为业界关注的焦点，紫光集团对其产业整合的问题再次被提及。在投资者关系互动平台上，有投资者向紫光国微发起提问，紫
存储器
兆易创新拟投资39.9亿元研发研发1Xnm级DRAM 技术
9月23日，北京兆易创新科技股份有限公司（以下简称 兆易创新 ）在股票交易异常波动公告中表示，拟定增43亿元，筹划DRAM芯片自研及产业化项目。如今，此次非公开发行A股相关事项已
群联威刚看好NAND后市 估维持正向到年底
存储器控制芯片厂群联与存储器模组厂威刚一致看好第4季储存型快闪存储器（NAND Flash）市况，预期可望维持正向到年底。随着动态随机存取存储器（DRAM）与NAND Flash价格双双落底，市场
三星发表首个12层3D-TSV封装技术 将量产24GB存储器
该技术被认为是大规模生产高性能芯片最具挑战性的封装技术之一，因为它需要精确的定位才能通过60,000多个TSV孔的三维结构垂直互连12个DRAM芯片，且厚度只有头发的二十分之一。Sour
美光拿出第一批第4代3D NAND芯片样品，基于RG架构
美光科技已经流片第一批第四代3D NAND存储芯片，它们基于美光全新的RG架构。该公司有望在2020年生产商用第四代3D NAND内存，但美光警告称，使用新架构的存储芯片将仅用于特定应用，因