三星宣布推出HBM Flashbolt DRAM 2020年中投产
韩国存储器大厂三星宣布,4日正式推出Flashbolt的HBM(高宽带)DRAM。这是第3代HBM技术,未来将用于超级计算机、GPU和各种AI应用所需的高性能计算。三星先前发表上一代HBM Aquabolt DRAM后一
韩国存储器大厂三星宣布,4日正式推出Flashbolt的HBM(高宽带)DRAM。这是第3代HBM技术,未来将用于超级计算机、GPU和各种AI应用所需的高性能计算。三星先前发表上一代HBM Aquabolt DRAM后一
2月4日,康佳集团股份有限公司(以下简称 康佳集团 )披露,控股公司合肥康芯威存储技术有限公司(以下简称 康芯威公司 )拥有自主知识产权的首款存储主控芯片 KS6581A 已实现量产
尽管目前市场担心武汉冠状病毒疫情将影响今年首季行情,但业内人士认为存储器价格涨势仍然可期。咨询机构集邦科技指出,尽管目前疫情正严重,位于中国境内的DRAM与NAND Flash存储器
2月3日,大华股份公布,公司拟与关联法人宁波华固企业管理合伙企业(有限合伙)( 宁波华固 )、宁波华淩投资管理合伙企业(有限合伙)( 宁波华淩 )共同出资人民币5000万元设立浙江大华存
针对武汉疫情对全球存储器产业的影响,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出,位于中国境内的DRAM与NAND Flash工厂,目前没有任何产线有部分或全面的停线,意即生产数量在短期