存储器
冲10纳米制程 南亚科今年资本支出年增逾31%
DRAM厂南亚科昨(26)日召开董事会，通过今年资本支出预算案，以不超过92亿元（新台币，下同）为上限，与去年资本支出相较之下，增幅达31.4%，其中包含10纳米级制程研发、试产及20纳米
芯动态|长鑫存储官网上线DDR4内存芯片产品
继2019年9月宣布量产8Gb DDR4后，长鑫存储DDR4内存芯片产品日前已在官方网站上线，包括DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片、DDR4模组等，并公布了具体产品资料。