三星:下一代闪存将采用双层堆叠,可望实现256层
当前三星的第六代V-NAND闪存采用单层堆叠技术,最多可具有128层。引入双层堆叠技术后,使256层NAND闪存成为可能。不过下一代NAND闪存会否配置256层,取决于三星接下来的考量。在昨日举
当前三星的第六代V-NAND闪存采用单层堆叠技术,最多可具有128层。引入双层堆叠技术后,使256层NAND闪存成为可能。不过下一代NAND闪存会否配置256层,取决于三星接下来的考量。在昨日举
5G商用及WIFI6的普及,带来了高速率、高带宽、低时延的信息和数据传输,加上移动智能终端设备市场增长迅猛,智能化、数字化为人们的生活带来了极大便利,同时也拉动了多个行业的
SK海力士表示,在所有员工新冠肺炎检测结果均为阴性后,公司在重庆的芯片封装厂周二将恢复运营。此前该厂的一名韩籍员工在出境后被判断为无症状感染者,重庆工厂暂停运营。11月
SK海力士重庆工厂的一名韩籍员工在出境后检出新冠病毒核酸阳性。该员工所在的工厂封测SK海力士超四成NAND Flash产品,目前已按下暂定键。SK海力士半导体(重庆)有限公司是SK海力士
AIoT下,数据对存储系统的需求发生变化,传统存储架构已经不适应于当前的存储和应用。着眼于容量、性能,数据价值提升、运维管理等诉求,我们需要做到多设备资源池化、资源统一