近日，深圳长城开发科技股份有限公司（以下简称“深科技”）发布两份重要公告，一是全资子公司沛顿科技（深圳）有限公司（以下简称“沛顿科技”）联合大基金二期等设立沛顿存储；二是拟非公开发行募资不超过17.1亿元，投入沛顿存储的存储先进封测与模组制造项目。

“豪华”股东阵容

根据外投资公告，深科技全资子公司沛顿科技与大基金二期、合肥经开投创以及关联方中电聚芯于2020年10月16日签署了《投资协议》，拟共同出资设立合肥沛顿存储科技有限公司（以下简称“沛顿存储”，沛顿科技控股子公司），作为存储先进封测与模组制造项目的实施主体。

根据公告，沛顿存储投资总额30.67亿元，注册资本30.60亿元，其中，沛顿科技、大基金二期、合肥经开投创和中电聚芯分别现金出资17.10亿元、9.50亿元、3亿元和1亿元，并各持有沛顿存储55.88%、31.05%、9.80%和3.27%股权。

图片来源：公告截图

深科技指出，本次通过引入投资者共同设立沛顿存储的方式进行相关项目建设，是根据公司集成电路半导体封测战略发展及产业布局需要，为把握存储芯片国产化替代发展机遇，推动公司产业链向高附加值的中上游存储芯片封装测试产业链延伸，实现主营业务转型升级，也为公司智能制造的长远布局奠定基础。

定增募资17.1亿元

此外，根据2020年度非公开发行A股股票预案，深科技此次拟非公开发行股份89,328,225股（含本数），募集资金总额不超过17.1亿元，扣除发行费用后拟将全部用于存储先进封测与模组制造项目。

据披露，存储先进封测与模组制造项目计划总投资30.67亿元，将主要建设包括DRAM存储芯片封测、存储模组、NAND存储芯片封装业务，预计全部达产后月产能分别4800万颗、246万条、320万颗，建设期3年，可实现年产值28.63亿元。主要为客户提供存储芯片封测和模组制造产能，项目建设周期3年，可实现年产值28.63亿元。

根据公告，该项目将主要建设包括DRAM存储芯片封测、存储模组、NAND存储芯片封装业务，预计全部达产后月产能分别4800万颗、246万条、320万颗，建设期3年，可实现年产值28.63亿元。

深科技表示，本次非公开发行募集的资金将全部用于“存储先进封测与模组制造项目”，为客户提供存储芯片封测和模组制造产能。本项目实施后，可满足客户较大需求的 DRAM、Flash 存储芯片封测以及DRAM 内存模组制造业务，有助于国内存储器芯片封测的深度国产化。本次募投项目实施后的新增产能加上公司现有产能，将为存储器芯片国产化提供保障。

加速存储器国产化替代进程

随着本次募投项目的实施，有利于打破国内存储器领域对进口产品的依赖和技术壁垒，加速存储器国产化替代进程，提升国产存储器芯片的产业规模，促进我国存储器产业链发展。

资料显示，深科技是全球领先的电子制造服务（EMS）专业提供商，近年来，在现有EMS核心业务基础上，深科技正加大力度布局集成电路封装测试等战略性新兴产业，力争实现经营业务的转型升级。

为把握国内外存储芯片发展机遇，深科技积极推动自身产业链向高附加值的中上游存储芯片封装测试产业链延伸。2015年，深科技全资收购了金士顿旗下提供集成电路存储芯片封装与测试服务的全资子公司沛顿科技（深圳）有限公司（以下简称“沛顿科技”）。

据悉，沛顿科技专注存储芯片封测业务，拥有国内先进水平的封装和测试生产线，主要从事动态随机存储（DRAM）、闪存（Flash）芯片、嵌入式存储产品、SSD和指纹逻辑芯片的封装和测试业务，是国内最大的DRAM和Flash存储芯片封装测试企业之一，目前主要为wBGA、DDR3、DDR4，eMCP、USB、SSD闪存芯片以及指纹逻辑芯片等提供封测服务，是国内唯一具有从高端DRAM/Flash/SSD存储芯片封测到模组、成品生产完整产业链的企业。

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