半导体联盟消息，3月10日，三星（中国）半导体有限公司举行三星高端存储芯片二期第一阶段项目产品下线上市仪式。
资料显示，三星高端存储芯片二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片，分两个阶段进行，其中第一阶段项目总投资70亿美元，预计2020年3月竣工投产；第二阶段投资80亿美元已于去年年底启动建设，预计2021年上半年实现量产。
据西安发布指出，三星高端存储芯片二期第一阶段项目目前已经具备量产能力，预计今年8月实现满产。此次下线上市的是三星高端存储芯片二期第一阶段项目的首批产品，代表了世界最尖端制造技术的存储芯片新产品。
根据此前的消息指出，三星高端存储芯片二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。
新华网近日报道，三星半导体存储芯片一期项目一、二月份实现满产生产，而二期项目第二阶段争取按原定计划在8月底完成内部装修工程。
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