9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下简称“耐威科技”）发布公告称，公司控股子公司聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司（以下简称“聚能晶源”）投资建设的第三代半导体材料制造项目（一期）已达到投产条件，于2019年9月10日正式投产。聚能晶源于同日举办了“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”。从入驻到项目建成投产，聚能晶源仅仅用了一年多的时间。
国家企业信用信息公示系统显示，聚能晶源成立于2018年6月，注册资本5000万元，由北京耐威科技股份有限公司、青岛海丝民合半导体投资中心、青岛民芯投资中心与袁理博士技术团队共同投资成立的第三代半导体材料研发与制造企业，其中耐威科技持股40%，青岛海丝民和持股24%，袁理持股20%，青岛民芯持股16%。主要从事半导体材料，尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发和生产。
图片来源：耐威科技
根据耐威科技此前公告，聚能晶源预计本项目投资总额不少于约2亿元人民币：2018年年底前投资总额不低于5000万元人民币，2020年底前投资总额不低于1.5亿元人民币。未来产品线将覆盖功率与微波器件应用，打造世界级氮化镓（GaN）材料公司，项目主要产品有面向功率器件应用的氮化镓（GaN）外延片，以及面向微波器件应用的氮化镓（GaN）外延片等。
耐威科技指出，聚能晶源项目已投资5,200万元人民币，项目一期建成产能为年产1万片6-8英寸GaN外延晶圆，既可生产提供标准结构的GaN外延晶圆，也可根据客户需求开发、量产定制化外延晶圆，项目的投产将有利于聚能晶源正式进入并不断开拓第三代半导体材料市场，同时有利于公司GaN功率与微波器件设计开发业务的发展，最终增强公司在第三代半导体及物联网领域的综合竞争实力。据了解，聚能晶源项目已经被评为青岛市重点项目。
耐威科技董事长杨云春介绍，耐威科技自上市以来，积极在物联网产业领域进行布局，重点发展MEMS和GaN业务；其中在GaN领域，耐威科技在即墨投资设立了聚能晶源公司，专注GaN外延材料的研发生长；在崂山投资设立了聚能创芯公司，专注GaN器件的开发设计。
