全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元，SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory)，期望借此扩建案，提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
Cree收回Wolfspeed事业部，加码扩厂开发功率及射频元件
以LED材料与元件起家的Cree，近年将研发方向集中于功率及射频元件领域的理由，可从其与Infineon的并购案渊源说起。原先Cree旗下以功率及射频元件为主力的Wolfspeed事业部因本身经营策略，已规划于2016年7月公告出售该部门至Infineon功率半导体事业体，期望借由此次并购案，使Infineon成为车用SiC元件上的领先霸主；但事情发展并非如此顺利，2017年2月出售案经美国外资投资委员会(CFIUS)评估后，以可能涉及军事管制技术原因决议禁止该并购案，迫使Cree需重新思考因应策略及经营方针。
此后Cree于2018年2月及3月时，提出与Infineon的SiC晶圆长期供货协议，并向Infineon收购其射频功率半导体事业部，试图解决美国外资投资委员会出售禁令的损失，保持与Infineon之合作关系。
2019年5月Cree又提出扩厂计划，说明其已将开发重心逐渐转回功率及射频元件领域上，持续投入8寸SiC晶圆生成技术的提升，藉此拉抬SiC元件于车用、工业及消费型电子领域之市占空间。
各厂于GaN on SiC磊晶技术之目标市场皆不同，后续发展仍需持续观察
现行GaN on SiC磊晶技术主要集中于Cree手中，Cree拥有最大SiC晶圆市占率(超过5成以上)；根据官网资料，目前使用的SiC基板尺寸最大可达6寸，主要应用于功率半导体的车用、工业及消费型电子元件中，少量使用于通讯射频领域上；未来扩厂计划完工后，预期可见8寸SiC基板应用于相关功率及射频元件制造。
另外，Cree在GaN on SiC磊晶技术领域的竞争对手为NTT AT(日本电信电话先进技术)，其使用的SiC基板最大尺寸为4寸，借由后续磊晶成长如AlGaN(或InAlGaN)缓冲层后，形成HEMT(高电子移动率晶体晶体管)结构，目标开发高频通讯功率元件。
因此现阶段GaN on SiC磊晶技术之应用情形，各家厂商瞄准的目标市场皆不同，该技术仍处于发展阶段，有待后续持续关注。
