2025年4月16日，在上海举行的三电关键技术高峰论坛上，方正微电子副总裁彭建华先生正式发布了第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ产品，性能达到国际头部最新一代水平，在第一代的高可靠基础上，进一步提升性能，缩小Die size，提升FOM值，实现了在行业主流芯片面积需求条件下性能提升，可靠性3倍于行业通用认证要求：低导通电阻（13mΩ）、高击穿电压（>1500V）、高阈值电压（3V）、高可靠性（＞3000小时）以及可支持1000VDC电驱系统”等特点。
方正微电子的车规主驱第一代SiC MOS早已大规模上车，预计2025年将实现上乘用车主驱几十万辆车的新跨越。方正微电子车规/工规SiC全系产品聚焦新能源车、光储充、UPS、工业电源、AI服务器以及新兴应用机器人、eVTOL、电动船舶等应用领域，已大规模出货，其第二代车规主驱SiC MOS 对标行业头部友商最新的第四代车规主驱产品。
本次方正微电子携G1/G2/G3三代车规碳化硅晶圆、衬底、外延、裸die、器件、模组亮相，涵盖G1 SiC MOS 1200V 系列，G2 SiC MOS 1200V 系列、G2 750V SiC MOS系列，G3 SiC MOS产品，及G1 SiC功率模组1200V。应用覆盖了新能源汽车全系应用、包括主驱控制器、OBC充电机、DCDC转换器、空气悬挂、电动压缩机等。
针对光伏MPPT Boost、光伏储能逆变、直流充电桩等应用，方正微电子展示了SIC MOS单管及模组，与SiC SBD解决方案。具体涵盖了SiC MOS 1200V EASY2B功率模组，SiC MOS 1200V 系列单管器件，SiC MOS 750V/650V 系列单管器件, SiC MPS（肖特基二级管第三代产品）系列单管器件。
随着碳化硅应用场景不断拓展，新兴应用不断涌现，例如AI、eVTOL、智能机器人、新能源船舶等，使用碳化硅助其实现更高功率、更少损耗、更小体积。方正微电子本次还能展示了SiC系列功率模组，1200V EASY2B模组、1200V TPAK模组、1200V SMIT模组、HPD模组，涵盖了车规及工规多种使用场景，目前还有G2系列产品正在开发中。
