近期中国半导体业要发展自己的存储器，包括DRAM及3D NAND闪存。不过，对于中国存储器业技术的来源问题，国外一直存在着质疑。在国外的逻辑之中，“技术必须向他人购买”。例如1983年三星电子在京畿道器兴地区建成首个芯片厂时曾向当时遇到资金问题的美光公司购买64K DRAM技术，然后依赖自身的研发与迅速扩大投资，最终超过日本而夺得存储器霸主地位。

但是外国却并不希望中国获得存储器技术，如之前紫光试图花230亿美元兼并美光等，但并未达成，万般无奈之下中国只能依靠自己的力量进行突破，也只是让中国恢复应有的尊严和地位。

中国发展存储器的必要性

首先是必要性，存储芯片是电子系统的粮仓，数据的载体，关乎数据的安全，其市场规模足够大，约占半导体总体市场的三分之一。其次是紧迫性，据统计，中国市场消耗了全球DRAM产值的48%，消耗了全球NAND Flash产值的35%，年进口总额高达880亿美元，对外依赖度超过90%。最后是安全性，存储芯片非常重要，但目前中国存储芯片中DRAM、NAND的自给率几乎为零。

对于国产厂商来说，首先中小容量存储芯片是其中的一个市场机会。据业内预计，中小容量存储芯片市场规模将保持在120亿-200亿美元，其中低容量NAND有60亿-100亿美元，NOR约30亿美元，低容量DRAM约70亿美元。

随着物联网和智能终端的快速发展，将不断扩大对中小容量存储芯片的需求，行业格局的演变，因此中国存储器业的首要目标可以从中小容量的存储芯片开始，待站稳脚跟之后再向高容量存储芯片迈进。

为什么外国不能理解中国

外国站在完全市场化角度来观察中国半导体业发展，可能是无法理解的，加上其中确有极少数人并不希望中国半导体业有任何的进步。

1)，DRAM及3D NAND闪存是中国市场需求量最大类芯片，而外国釆用封锁，打压等手段欺压中国，如将晋华、华为等列入实体清单之中，阻止中国发展及获得芯片，所以是被逼无奈的必然结果。

2)，现阶段产业发展必须依靠国家资金等投入为主，所以重点在于要加强研发，积累IP，首先做出产品，然后逐渐国产替代。

3)，存储器业的特点，它的设计并不难，如NAND闪存基本上有两种结构类型，一种是Floating Gate浮栅式结构，美光，英特尔采用，另一种是Charge Trap电荷捕获型结构，在3D NAND闪存中成为主流的选择，包括三星、东芝、SK Hynix在内的闪存厂商普遍选择了Charge Trap结构。

DRAM量产关键在于生产线的质量控制以及持续的投资，扩大产能，最终以数量与价格取胜。而中国在巨大市场以及国家资金为主的支持下发展，相信一定有能力自主做出产品，但是困难的是产能爬坡速度，及在存储器的下降周期中能坚持下去。中国做存储器在很大程度上试图满足部分国内的需求。

韩国独霸存储器业

以2019 Q2计，在DRAM方面，三星市占45%，Hynix市占29%，及在NAND闪存中，三星的市占35%及Hynix的18%，可见韩国垄断全球存储器业。这种局面长久下去并不利于产业进步。

因此站在美光、东芝等立场它们具有两重性，一方面害怕中国存储器业的崛起，动了它们的“奶酪”，然而在另一方面，它们也愿意希望利用中国的崛起能削弱韩国垄断的局面。所以中国存储器业发展中要充分认识目前的格局，找到适合生存与发展的支点。

千万不要低估中国半导体业的决心与韧性

中国是全球仅次于美国的GDP大国，但绝不是全球第二大半导体强国，与世界先进水平尚有很大差距。据统计，2018年国产半导体自给率为15.3%，2019年将可望提升至17%左右，但预计到2023年才可望拉升至20%自给率。

在贸易摩擦的格局下，美国把中兴，华为，晋华等列入“实体清单”之中，竭力阻碍中国半导体业的发展，而存储器是中国半导体进口金额最大类之一。如与发展CPU相比较，现阶段存储器作为中国半导体业的突破口是合乎理性的。中国不会谋求存储器的霸权地位，也不可能，仅是希望能部分替代进口之用，而且这样的过程用时不会太短。

另外，中国发展半导体业现阶段以国家资金投入为主，它不是补贴，而是以股权加入，这也是唯一可能的选择，相比全球其它半导体业者在初始时的路径是相似的，仅是中国半导体业已经落后了近20年。

中国要发展自已的半导体业是正确的选择，也是生存的需要，所以决心是不会动摇的，加上它是集中国家的力量。观察上世纪80年代，韩国半导体能在存储器业中的成功，后来居上，一条非常成功的经验，就是持续投资，用亏损和时间最终打败了竞争对手。因此在国家资金等支持下，怀疑中国半导体业发展的决心与信心是注定要失败。

显然中国半导体业发展中一定会尊重与保护知识产权，并准备好迎接有关专利纠纷的诉讼，它也是中国半导体业发展的必修课之一。

中国半导体业发展一定能取得成功，不是空穴来风，而是有充分理由的，一个是中国拥有全球最大的终端电子市场，而且在不断增长之中，而另一个理由是现阶段以国家资金等投入为主，有足够能力与实力迎接来自各方面的挑战。

中国半导体业发展的韧性可以体现在：1)，外国一直在压制与打击中国半导体业进步的同时，与在中国市场中继续谋求利益之间调节平衡，不太可能让中国半导体业“彻底停摆”；2)，打击华为时，与打击中兴，晋华等大不相同，华为任正非，它是嘴不硬，事扎实，让美过感觉有些进退两难。所以对于此次贸易摩擦的复杂性与长期性一定要有充分的认识；3)，中国半导体业发展不但可能打乱既有的“平衡格局”，同时对于全球半导体的增长有实质性的推动作用，如中国可能成为全球半导体最大的投资地区之一。

结语

中国半导体业发展有自身的特点，有优势方面，也有不足之处。在贸易摩擦下需要付出更多的努力与代价。在存储器业中，对手已经积累20年以上的经验，因此要进行突破是不易的，可能最关键是信心不可动摇及要坚持到底。

美国可以继续阻挡与压制我们，但是在全球化的浪潮下是不可能成功的，因为中国始终坚持改革开放，走全球化合作道路，任何面对中国的大市场而不顾，只可能是暂时的。同时在贸易摩擦下一定会加速国产化的推进步伐，这样的好时机是千载难逢。尽管中国半导体业发展不可能一帆风顺，未来还可能会经历一些曲折，要尊重“学习曲线”的规律，但是相信中国半导体业最终一定能够取得成功。