据新华社5月17日报道，三星半导体存储芯片二期项目在西安的投资将超过140亿美元。
据了解，三星半导体存储芯片项目于2012年成功入驻西安高新区，主要生产“V－NAND”闪存芯片。2014年5月，项目一期竣工投产。值得注意的是，一期项目计划投资金额为70亿美元，但实际总投资比计划投资额超过了30亿美元，高达逾100亿美元。
至于二期项目，三星电子早在2017年曾表示，未来3年内将向其西安工厂投资70亿美元，用于生产NAND闪存芯片。而目前，三星二期项目已于2018年3月开工建设，预计今年7月份建成，2020年一季度实现量产。
根据三星（中国）半导体有限公司副总裁池贤基表示，三星半导体的存储芯片二期项目总投资将超过140亿美元，主要分为两个阶段，其中第一阶段投资70亿美元，尽管第二阶段的详细计划还未出炉，但预计会超过70亿美元。
